A model has been developed to study the effect of depletion and energy quantization at the poly-silicon /oxide interface......

在电力电子技术迅速发展的现代化社会中,对于MOSFET模型的学习和研究具有十分巨大的价值和意义.根据工作特性的不同,MOSFET的又分......

MOSFET集约模型作为连接半导体生产商与电路设计者之间的桥梁,是半导体行业不可或缺的一环。随着对器件物理效应的不断深入了解,以......

介绍了深亚微米CMOS器件基于电荷模型、基于表面势模型和基于电导模型的建模方法及其优缺点,并以BSIM系列模型为例,讨论了BSIM系列......

器件模型及参数作为工艺和设计之间的接口,对保证集成电路设计的投片成功具有决定意义.本文介绍了电路模拟中常用的几种MOSFET模型......

针对0.35μm BiCMOS工艺的MOS及Bipolar晶体管器件,分析其结构特征及相应物理效应,选取相应的晶体管器件理论模型,确定了样管测试......

近年来,VLSI工艺不断向纳米级推进,MOSFET的沟道长度、宽度、结深、氧化层厚度等参数不断减小,而电源电压却不能相应等比例地减小,......